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百特BETTERSIZE > 納米粒度及Zeta電位分析儀 > BeNano 180 Zeta 納米粒度及Zeta電位分析儀
  • 產(chǎn)品名稱: BeNano 180 Zeta 納米粒度及Zeta電位分析儀

  • 產(chǎn)品類型: 納米粒度及Zeta電位分析儀

  • 產(chǎn)品型號: 百特BeNano 180 Zeta

  • 發(fā)布時間: 2023-04-08


產(chǎn)品描述

丹東百特BeNano 180 Zeta 納米粒度及Zeta電位分析儀產(chǎn)品介紹

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BeNano 180 Zeta 納米粒度及 Zeta電位分析儀 是 BeNano 180+BeNano Zeta 的二合一光學檢測系統(tǒng)。該系統(tǒng)中集成了背向動態(tài)光散射 DLS、電泳光散射 ELS 和靜態(tài)光散射技術(shù) SLS,可以準確的檢測顆粒的粒徑及粒徑分布,Zeta 電位,高分子和蛋白體系的分子量信息等參數(shù),可廣泛的應(yīng)用于化學、化工、生物、制藥、食品、材料等領(lǐng)域的基礎(chǔ)研究和質(zhì)量分析與控制。

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丹東百特BeNano 180 Zeta 納米粒度及Zeta電位分析儀儀器特點:

高速測試能力 更快的測試速度,所有結(jié)果可以隨后編輯處理,檢測 速度0.5秒一個結(jié)果 

高性能固體激光器光源 高功率、穩(wěn)定性、長壽命、低維護

智能光源能量調(diào)節(jié) 根據(jù)信噪比,軟件智能控制光源能量 

功能強大的相關(guān)計算模式 快、中、慢多模式相關(guān)器,快25ns采樣,寬線性范圍

光纖檢測系統(tǒng) 高靈敏度,有效增加信噪比

相位分析光散射 準確檢測低電泳遷移率樣品的Zeta電位 

可拋棄毛細管電極的Zeta電位測試重復(fù)性,避免交叉污染

毛細管極微量粒徑池 3-5μL極微量樣品檢測和更好的大顆粒測試質(zhì)量

智能結(jié)果判斷系統(tǒng) 智能辨別信號質(zhì)量、消除隨機事件影響 

寬泛的溫度控制范圍 -15℃ - 110℃ 溫控范圍,具有溫度趨勢測試能力

高穩(wěn)定性設(shè)計 結(jié)果重復(fù)性,不需日常光路維護 

靈活的動態(tài)計算模式 多種計算模型選擇涵蓋科研和應(yīng)用領(lǐng)域


丹東百特BeNano 180 Zeta 納米粒度及Zeta電位分析儀基本性能指標

粒徑檢測

  原理  動態(tài)光散射技術(shù)
  粒徑范圍  0.3 nm – 10 μm 
  樣品量  40 μL – 1 mL 
  檢測角度  173 ° + 12°
  分析算法  Cumulants、通用模式、CONTIN、NNLS

Zeta電位測試

  原理  相位分析光散射技術(shù)
  檢測角度  1
  Zeta范圍  無實際限制
  電泳遷移率范圍  >±20 μ.cm/V.s
  電導率范圍  0 - 260 mS/cm
  Zeta測試粒徑范圍  2 nm – 110 μm  

分子量測試

  分子量范圍  342 Da – 2 x 107 Da    

微流變測試

  頻率范圍  0.2 – 1.3 x 107 rad/s
  測試能力  均方位移、復(fù)數(shù)模量、彈性模量、粘性模量、蠕變?nèi)崃?/span> 

粘度和折光率測試

  粘度范圍  0.01 cp – 100 cp
  折光率范圍  1.3-1.6

趨勢測試

  時間和溫度

系統(tǒng)參數(shù)

  溫控范圍  -15°C - 110°C 
  冷凝控制  干燥空氣或者氮氣
  標準激光光源  50 mW 高性能固體激光器, 671 nm
  相關(guān)器  快25 ns采樣,多 4000通道,1011動態(tài)線性范圍
  檢測器  APD (高性能雪崩光電二極管)
  光強控制  0.0001%  - 100%,手動或者自動  

軟件

 中文和英文 符合21CFR Part 11


丹東百特BeNano 180 Zeta 納米粒度及Zeta電位分析儀檢測參數(shù)

●顆粒體系的光強、體積、面積和數(shù)量分布

●顆粒體系的 Zeta 電位及其分布

●分子量

●分布系數(shù) PD.I

●擴散系數(shù) D

●流體力學直徑 DH

●顆粒間相互作用力因子 kD

●溶液粘度

丹東百特BeNano 180 Zeta 納米粒度及Zeta電位分析儀檢測技術(shù)

●動態(tài)光散射

●電泳光散射

●靜態(tài)光散射


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背向散射技術(shù)

? 檢測點在樣品池中間的背散射 此時背散射體積較大,可以盡可能多的接收顆粒 的散射信號,增加儀器的檢測靈敏度。對于尺寸 比較小、散射能力較弱的濃度比較稀的樣品,具 有較好的檢測效果。但是由于其檢測點設(shè)置在樣 品池中部,如果樣品的濃度過高、濁度過高或者 多重光散射效應(yīng)較強,則無法進行檢測或者即使 勉強檢測,其結(jié)果也與樣品的真實值相差較大。 

? 檢測點位于樣品池的邊緣背散射 其特點是適合檢測高濃度,散射較強,易產(chǎn)生多 重光散射效應(yīng)的樣品。此時檢測點固定在樣品池 靠近池壁位置,激光不需要穿透進入樣品內(nèi)部, 可以有效避免高濃度樣品的多重光散射效應(yīng),在 更高的濃度范圍內(nèi)也能保持粒徑數(shù)據(jù)結(jié)果的正確 性與一致性。但是由于其光路設(shè)計,造成散射體 積較小,會損失儀器的靈敏度,對于小顆粒、弱 散射、濃度極稀樣品檢測效果不好。 

? 智能尋找檢測點位置的背散射 通過透鏡的移動可以實現(xiàn)將檢測點在樣品池中央 到邊緣任意位置的移動設(shè)置??梢?strong style="background:yellow;color:red;" val="attr">大程度上兼 顧不同種類、不同濃度樣品的檢測需求。在實際 檢測過程中,根據(jù)樣品濃度、大小、散射能力, 對于每個特定樣品確認其檢測位置和激光的 強度,以達到測試條件和測試準確 性

動態(tài)光散射微流變應(yīng)用領(lǐng)域及其適用體系

動態(tài)光散射微流變技術(shù)“DLS Microrheology”是通 過動態(tài)光散射得到示蹤粒子的均方位移 ????? 2 ???? 進而得到與機械流變技術(shù)互補的溶液的流變學 信息的光學技術(shù)。 測試過程中在研究體系中加入已知粒徑的膠體 顆粒作為示蹤粒子,顆粒在熱布朗運動行為與 溶液環(huán)境的粘彈性性質(zhì)相關(guān)。從動態(tài)光散射測 試結(jié)果中解析出示蹤粒子的均方位移MSD,通 過廣義斯托克斯-愛因斯坦方程得到粘彈性體系 中的粘度、模量和蠕變信息。

動態(tài)光散射微流變

? 通過檢測已知粒徑的熱布朗運動來研究流 變行為

? 同時得到所有頻率下的流變行為 

? 通過示蹤粒子施加低應(yīng)力

? 微升級別樣品量

? 結(jié)果與機械流變技術(shù)具有互補性

應(yīng)用領(lǐng)域

高分子溶液

蛋白質(zhì)溶液 

凝膠體系


電泳光散射應(yīng)用領(lǐng)域及其適用體系

分散在液體中的顆粒往往在表面攜帶一 定量電荷,這些電荷會使顆粒在溶液中 形成一個超過顆粒表面界限的雙電層。 顆粒的電勢在顆粒的表面,稱作表 面電位(surface potential),在嚴密電位 層 的 電 位 稱 作 嚴 密 層 電 位 ( s t e r n potential),在顆粒的滑移層的位置的電 勢值稱作Zeta電位。顆粒的Zeta電位與顆 粒之間的相互作用力息息相關(guān),較高的 Zeta電位有利于防止顆粒團聚,維持體系 的穩(wěn)定性。 電泳光散射ELS技術(shù)是一種光學的測試技 術(shù),通過檢測顆粒電泳運動產(chǎn)生的散射 光的多普勒頻移,進而分析原始的光學 信號得到顆粒的電泳速度信息,由亨利 方程建立起的顆粒電泳速度和Zeta電位的 關(guān)系終得到顆粒在當前體系中Zeta電位 ????和Zeta電位分布信息。

高分子、膠體、乳液、生物大分子、水煤漿、蛋白、抗原、抗體、納米金屬/非金屬顆粒等等體系 的Zeta電位及其分布,電泳遷移率及其分布 

化學、化工、生物、食品、藥品、水處理、環(huán)境保護、磨料等等行業(yè)

產(chǎn)品的穩(wěn)定性研究和監(jiān)控 

表面電性能和表面改性修飾


丹東百特BeNano 180 Zeta 納米粒度及Zeta電位分析儀典型應(yīng)用 – 電泳光散射

顆粒的穩(wěn)定性 Zeta電位與顆粒體系的穩(wěn)定性緊密相關(guān)。較高的 Zeta電位下,顆粒之間相互作用力較強,體系處 于一個比較穩(wěn)定的狀態(tài),而較低的Zeta電位下, 顆粒之間排斥力較弱,顆粒易于團聚、絮凝,體 系的穩(wěn)定性較差。主要影響Zeta電位的因素包括 溶液體系的pH、離子強度(鹽濃度)和小分子添 加物的濃度。 分散液環(huán)境的pH是影響顆粒Zeta電位的重要因素 之一。通常條件下,pH越低,顆粒表面越傾向于 帶正電,pH越高,顆粒表面越傾向于帶負電。需 要注意的是,即使是化學組成相同的顆粒,如果 來源不同,在相同的環(huán)境下,其電位也有可能具 有差別。 分散液的離子強度也是影響顆粒Zeta電位的 重要影響因素之一。通常條件下,分散液離 子強度越高,對于顆粒電勢的屏蔽作用越強, 顆粒的Zeta電位絕對值越向零趨近,顆粒在 電場中的電泳遷移率越小。需要注意的是, 有些離子可以在顆粒表面定向的吸附,這會 額外的增加顆粒表面的電荷分布數(shù)量。 


丹東百特BeNano 180 Zeta 納米粒度及Zeta電位分析儀軟件 – 研究級光散射軟件

BeNano 系列納米粒度電位儀軟件為用戶 提供友好的中文和英 文界面,提供結(jié)果預(yù)覽和多個專項報告頁。

動態(tài)光散射 

? 智能篩選刪除不合格數(shù)據(jù) 

? 自動設(shè)定光強和測試時間

? 提供Z-均粒徑、PDI、粒徑分布信息、擴散系 數(shù)、顆粒相互作用力因子等等結(jié)果

? 濃度計算器提供適合的濃度范圍信息

? 粒徑分布算法 Cumulants、通用模式、CONTIN、NNLS

電泳光散射 

? 相位分析光散射PALS 

? 預(yù)測試自動設(shè)定光強和測試時間

? 提供Zeta電位、Zeta電位分布等等結(jié)果

? 計算模型 Smoluchowski Hückel 用戶自定義

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